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SiCパワー半導体デバイス、特許総合力トップ3はCREE、デンソー、パナソニック

　弊社はこのほど、SiCパワー半導体デバイスについて、参入企業に関する調査結果をまとめました。従来から使われているシリコン（Si）によるパワー半導体デバイスは、耐圧が理論限界値に近付いており、これ以上の改善は難しいとされています。そのため、絶縁破壊電圧が高いSiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）といったワイドバンドギャップ型半導体が注目されており、これらの材料を用いたパワー半導体デバイスは、Siと比較して、より損失を抑えることが可能になります。

　今回の調査では、特に「SiC」に着目しました。SiCパワー半導体デバイス関連の特許を集計し、各個別特許の注目度を得点化する「パテントスコア」をベースとして、特許の質と量から総合的に見た評価を行いました（2011年1月末時点のパテントスコアに基づき評価）。

　その結果、「総合力ランキング（※）」では、1位 CREE、2位 デンソー、3位 パナソニックとなりました。

　　　　　　【SiCパワー半導体デバイス　特許総合力トップ5】

順位	企業名	総合力 （権利者スコア）	開発規模 （出願件数）	個別力 （最高スコア）
1	CREE	685.7 pt	62	76.56 pt
2	デンソー	589.4 pt	173	73.08 pt
3	パナソニック	554.4 pt	102	86.5 pt
4	三菱電機	391.8 pt	103	78.63 pt
5	日産自動車	354.5 pt	131	77.66 pt

　CREEはパワー半導体デバイス全体では5位でしたが、SiCに限定するとトップになりました。CREEはSiC基板で有名ですが、特許を通して分析すると、デバイス化についても強みを持っているということがわかります。

　また、5位に自動車メーカーである日産自動車が入っていることも大きな特徴と言えます。日産自動車は出願件数も2位と多く、車載用パワー半導体デバイスに対する自社開発の意欲が現れていると言えます。

　本分析の詳細については、簡易コンサルレポートBの「特定技術分野の競合分析：SiCパワー半導体デバイス」に掲載しています。

※総合力の評価では、個別特許の注目度を得点化する「パテントスコア」を企業ごとに集計し、そのうち分析母集団における平均点以上のパテントスコアの値を集計しています。平均点以上のものだけを集計している理由は、パテントスコアが低くても件数が多いことによって総合力が上がってしまうことを防ぐためです。

簡易コンサルレポートB 『特定技術分野の競合分析：SiCパワー半導体デバイス』

【価格】
≪コース１≫
「全体俯瞰　競合分析」：99,800円（税込）　納期：1週間
≪コース２≫
「全体俯瞰　競合分析」＋「個別企業分析（主要5社）※」：31万5000円（税込）　納期：2週間
※「個別企業分析」の対象企業はご相談に応じます。

【レポート収録内容】
〔コース１、２共通コンテンツ〕
SiCパワー半導体デバイスに関する、出願件数の推移、企業別　出願件数ランキング(権利者ベース)、ステータス状況、パテントスコア分布、権利者スコアマップ、パテントスコア上位10件の特許リスト、権利者スコアマップ経時変化、経過情報から見た主要企業比較、引用情報から見た主要企業の注目企業・公報、発明者分析
〔コース２〕
コース１に個別企業分析(主要5社)を追加。

【調査対象範囲】
出願日が1992年1月以降で、1993年から2011年1月末までに公開された特許公報が対象。公開、登録、公表、再公表のすべてが対象で、登録と、公開・公表・再公表が重複している場合は、登録を優先。企業等の集計単位は権利者ベースとしております。

【納品形態】
冊子1冊。分析に使った特許公報リストCSVをCD-ROMに収録。特許分析ツール「Biz Cruncher：ゴールド」ご利用2週間（分析母集団を使ってご自身で調査していただけます）。
※レポートのサンプル（「全体俯瞰　競合分析」＋「個別企業分析（上位5社）」）はこちらを参照ください。

ご注文の際は、下記フォームの「詳細・その他」の欄にいずれかのコースを選択してください。
個別のご要望にお応えする「カスタマイズレポート」をご希望の方は、ご相談ください。

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