【SiC基板】特許総合力トップ3はデンソー、CREE、新日本製鐵

　弊社はこのほど、SiC基板関連技術について、参入企業に関する調査結果をまとめました。現在SiCパワー半導体デバイスが注目されているものの、基板の作成が難しく、かつては米・CREEのほぼ独占状態となっていました。しかし、近年では参入企業も増え、品質も向上し、コスト削減のための大口径化も進んできました。

　今回の調査ではSiC基板関連の特許を集計し、個別特許の注目度を得点化する「パテントスコア」をベースとして、特許の質と量から総合的に見た評価を行いました（2011年2月末時点のパテントスコアに基づき評価）。

　その結果、「総合力ランキング（※）」では、1位 デンソー、2位 CREE、3位 新日本製鐵となりました。

　　　　　　【SiC基板関連技術　特許総合力トップ5】

図1：SiC基板関連技術　競合状況

　上位3社ともバルクSiC結晶基板に関する特許が多く見られます。1位デンソーは豊田中央研究所との共同出願であるa面成長に関する技術が、2位CREEは欠陥密度規定に関する技術などの評価が高く、これら2社にはエピタキシャル基板に関する技術にも高評価のものが存在します。3位新日本製鐵はSiCインゴットに関する技術などが注目度の高い特許として挙げられます。

　4位豊田中央研究所は集計対象特許の全てがデンソーとの共願となっています。5位住友電気工業は同社発ベンチャー企業であったシクスオンが共同出願人である特許の評価が高くなっています。また、子会社の日新電機を含めて計算すると、4位豊田中研を抜く結果になります。

　本分野ではCREEの他にも外国企業が見受けられます。件数は多くはないものの、ロームが買収した独・SiCrystalや米・II-IV（ツーシックス）、スウェーデン・NORSTELなどが比較的高い評価になっています。中国・TankeBlue Semiconductorは日本への出願が見られませんでした。

　本分析の詳細については、特許・技術調査レポート「SiC基板関連技術」にてご覧いただけます。

参入企業の技術力と成長性を取りまとめたレポートです。

【価格】 ※個別企業分析の対象企業は、特許総合力上位企業または任意にご指定可能。

（注）レポートは弊社データベースにおける最新の収録範囲に基づき作成いたします。
そのため、ご発注のタイミングによっては上記ランキングと順位、値が異なる可能性があります。

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パテントスコアを用いた総合力評価や出願件数などに基づく各種ランキングデータのご提供です。

【収録データ】 　　・特許総合力ランキング_上位30社リスト 　　・有効特許件数ランキング_上位30社リスト 　　・開発規模（出願件数）ランキング_上位30社リスト 　　・競合状況分析マップ (権利者スコアマップ) 　　・母集団の公報リスト

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