弊社はこのほど、SiC基板について、参入企業に関する調査結果をまとめ、簡易コンサルレポートとして本日より販売を開始します。現在SiCパワー半導体デバイスが注目されていますが、そのための基板の作成が難しく、かつては米・CREEのほぼ独占状態となっていました。しかし、近年では参入企業も増え、品質も向上し、コスト削減のための大口径化も進んできました。
今回の調査ではSiC基板関連の特許を集計し、個別特許の注目度を得点化する「パテントスコア」をベースとして、特許の質と量から総合的に見た評価を行いました(2011年2月末時点のパテントスコアに基づき評価)。
その結果、「総合力ランキング(※)」では、1位 デンソー、2位 CREE、3位 新日本製鐵となりました。
【SiC基板 特許総合力トップ5】
| 順位 | 企業名 | 総合力 (権利者スコア) |
開発規模 (出願件数) |
個別力 (最高スコア) |
|---|---|---|---|---|
| デンソー | 495.6 pt | 152 | 75.3 pt | |
| CREE | 420.1 pt | 39 | 73.1 pt | |
| 新日本製鐵 | 250.5 pt | 98 | 73.4 pt | |
| 豊田中央研究所 | 141.9 pt | 34 | 75.3 pt | |
| 住友電気工業 | 135.7 pt | 39 | 77.7 pt | |
上位3社ともバルクSiC結晶基板に関する特許が多く見られます。1位デンソーは豊田中央研究所との共同出願であるa面成長に関する特許、2位CREEは欠陥密度規定に関する特許などの評価が高いですが、これら2社にはエピタキシャル基板に関する特許にも高評価のものが存在します。3位新日本製鐵はSiCインゴットに関する特許の評価が高いことが特徴です。
4位豊田中央研究所は集計対象特許の全てがデンソーとの共願となっています。5位住友電気工業は同社発ベンチャー企業であったシクスオンが共同出願人である特許の評価が高くなっています。また、子会社の日新電機を含めて計算すると、4位豊田中研を抜く結果になります。
本分野ではCREEの他にも外国企業が見受けられます。件数は多くはないものの、ロームが買収した独・SiCrystalや米・II-IV(ツーシックス)、スウェーデン・NORSTELなどが比較的高い評価になっています。中国・TankeBlue Semiconductorは日本への出願が見られませんでした。
本分析の詳細については、簡易コンサルレポートの「特定技術分野の競合分析:SiC基板」に掲載しています(《コース1》税込10万5,000円/《コース2》税込31万5,000円)。特許分析ツール『Biz Cruncher』を使うと、ご自身でも詳細な分析が可能です。
【価格】
≪コース1≫
「全体俯瞰 競合分析」:99,800円(税込) 納期:1週間
≪コース2≫
「全体俯瞰 競合分析」+「個別企業分析(主要5社)※」:31万5000円(税込) 納期:2週間
※「個別企業分析」の対象企業はご相談に応じます。
【レポート収録内容】
〔コース1、2共通コンテンツ〕
GaNパワー半導体デバイスに関する、出願件数の推移、企業別 出願件数ランキング(権利者ベース)、ステータス状況、パテントスコア分布、権利者スコアマップ、パテントスコア上位10件の特許リスト、権利者スコアマップ経時変化、経過情報から見た主要企業比較、引用情報から見た主要企業の注目企業・公報、発明者分析を収録。
〔コース2〕
コース1に個別企業分析(主要5社)を追加。
主要5社の出願件数の推移、ステータス状況、パテントスコア分布、パテントスコア上位10件の特許リスト、引用情報から見た主要企業の注目企業・公報、発明者分析を収録。
【調査対象範囲】
出願日が1992年1月以降で、1993年から2011年1月末までに公開された特許公報が対象。公開、登録、公表、再公表のすべてが対象で、登録と、公開・公表・再公表が重複している場合は、登録を優先。企業等の集計単位は権利者ベースとしております。
【納品形態】
冊子1冊。分析に使った特許公報リストCSVをCD-ROMに収録。
特許分析ツール「Biz Cruncher:ゴールド(月額15万7,500円)」を2週間無料でご利用いただけます。
(分析母集団を使ってご自身で調査することができます)。
※レポートのサンプル(「全体俯瞰 競合分析」+「個別企業分析(上位5社)」)はこちらを参照ください。
ご注文の際は、下記フォームの「詳細・その他」の欄にいずれかのコースを選択してください。
個別のご要望にお応えする「カスタマイズレポート」をご希望の方は、ご相談ください。
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