弊社はこのほど、SiCパワー半導体デバイス関連技術について、参入企業に関する調査結果をまとめました。従来から使われているシリコン(Si)によるパワー半導体デバイスは、耐圧が理論限界値に近付いており、これ以上の改善は難しいとされています。そのため、絶縁破壊電圧が高いSiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)といったワイドバンドギャップ型半導体が注目されており、これらの材料を用いたパワー半導体デバイスは、Siと比較して、より損失を抑えることが可能になります。
今回の調査では、特に「SiC」に着目しました。SiCパワー半導体デバイス関連の特許を集計し、各個別特許の注目度を得点化する「パテントスコア」をベースとして、特許の質と量から総合的に見た評価を行いました。
その結果、「総合力ランキング(※)」では、1位 CREE、2位 デンソー、3位 パナソニックとなりました。
【SiCパワー半導体デバイス関連技術 特許総合力トップ5】
順位 | 企業名 | 総合力 (権利者スコア) |
開発規模 (出願件数) |
個別力 (最高スコア) |
---|---|---|---|---|
CREE | 685.7 pt | 62 | 76.56 pt | |
デンソー | 589.4 pt | 173 | 73.08 pt | |
パナソニック | 554.4 pt | 102 | 86.5 pt | |
三菱電機 | 391.8 pt | 103 | 78.63 pt | |
日産自動車 | 354.5 pt | 131 | 77.66 pt | |
パワー半導体デバイス関連技術全体で5位のCREEは、SiCに限定するとトップとなりました。CREEはSiC基板で有名ですが、特許を通して分析すると、デバイス化についても強みを持っているということがわかります。
また、5位に自動車メーカーである日産自動車が入っていることも大きな特徴と言えます。日産自動車は出願件数も2位と多く、車載用パワー半導体デバイスに対する自社開発の意欲が現れていると言えます。
本分析の詳細については、特許・技術調査レポートの「SiCパワー半導体デバイス関連技術」に掲載しています。
参入企業の技術力と成長性を取りまとめたレポートです。
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